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Aula de iniciantes na fotografia

O escarpamento de características do transistor de campanha S - a relação de modificação de corrente de um dreno a modificação de tensão em uma fechadura em circuito curto em corrente alternada na saída de transistor no esquema com a fonte geral.

Mas junto com méritos, os triodes também têm as faltas. Bem como díodos de semicondutor, os transistores são muito sensíveis a aumento de temperatura, sobrecargas elétricas e fortemente obtenção de radiações (para fazer o transistor mais durável, coloca em casos especiais).

A frequência divisional determina-se por uma fórmula fgr. = 159/S11i, onde fgr = frequência, MHz; S - o escarpamento da característica do transistor, / em; S11i - capacidade entre uma fechadura e uma fonte em circuito curto em corrente alternada de uma cadeia de produção,.

Em MDP - transistores com o canal construído o canal de transporte fora, feito do modo tecnológico, formado em uma tensão em uma fechadura igual a zero. A corrente de um dreno pode fazer-se funcionar, modificando o valor e a polaridade da tensão entre uma fechadura e uma fonte. Em alguma tensão positiva uma fechadura - fonte de transistor com - canal ou tensão negativa do transistor com n - a corrente de canal em uma cadeia de um dreno para. Esta tensão chama-se a tensão de um atalho (Uzi.ots). MDP - o transistor pode funcionar com o canal construído tanto no modo de enriquecimento, como no modo do empobrecimento do canal como as transportadoras principais de uma carga.

Durante o trabalho nos esquemas ligam que trocam velocidade completamente define-se pelo tempo RC constante - cadeias de fechadura. Em transistores de campanha com a entrada de fechadura isolada a capacidade é muito menos, por isso, as suas propriedades de frequência é muito melhor, do que em transistores de campanha com r-p - transição.

Capacidade de entrada do transistor de S11i de campanha - capacidade entre uma fechadura e uma fonte em circuito curto em corrente alternada na saída no esquema com a fonte geral. Capacidade de produção do transistor de S22i de campanha - capacidade entre um dreno e uma fonte em circuito curto em corrente alternada em uma entrada no esquema com a fonte geral. Capacidade de transistor de campanha S12i por passagem - capacidade entre uma fechadura e um dreno em circuito curto em corrente alternada em uma entrada no esquema com a fonte geral. A capacidade uma fechadura - dreno de SZSO - capacidade entre uma fechadura e um dreno em outras conclusões abriu-se na corrente alternada. A capacidade uma fechadura - capacidade de fonte de SZIO entre uma fechadura e uma fonte em outras conclusões abriu-se na corrente alternada.